能谱仪器

“能谱仪器”是一类用于测量粒子(如电子、光子、离子)或辐射能量分布的仪器。其核心原理是通过探测和分析入射粒子或辐射的能量特征,来确定物质的元素组成、化学态或能级结构

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x光电子能谱仪xps esca
产品名称X光电子能谱仪(XPS/ESCA)
品牌PHI(日本艾科菲/阿尔法)、Thermo Fisher(赛默飞)、Kratos(英国克莱塔斯)、JEOL(日本电子)、Scienta Omicron、聚光科技(FPI)、普析通用
型号PHI VersaProbe III、Thermo Nexsa、Kratos AXIS Supra、JEOL JPS-9030、Scienta Omicron Argus、FPI XPS-2000、普析XPS-1000
产地日本、美国、英国、中国、德国等
产品详情X射线光电子能谱仪(XPS/ESCA)是一种利用X射线激发样品表面,测量发射电子的动能和数目,分析材料元素组成、化学状态、原子比例和化学环境的高端表面分析仪器。广泛用于无机、有机、金属、半导体等材料科学、表界面与薄膜研究。
产品特点极高表面灵敏度,可探测层厚1-10nm,元素定性/定量准确,支持价带/能级分析,空间分辨率高(可微米级成像),多模式联用(深度剖析、成像、谱图分析),操作自动化/智能化,部分型号配备阿尔法束、激光清洗等增强功能
产品应用材料表面元素/价态分析、半导体芯片工艺、腐蚀/反应薄膜研究、粘接/涂层质量检测、催化剂表面化学、环境污染物追踪、纳米材料表征、考古及文化遗产分析等
技术参数X射线源(Al Kα, 1486.6 eV/可选Mg Kα)、能量分辨率优于0.45 eV、分析腔极限真空10⁻⁹-10⁻¹⁰ mbar、空间分辨率≤10μm、深度剖析速率1-10nm/min、检测元素周期表中H与He外所有元素,自动样品台(多轴/制冷/加热)
安全与环境要求X射线源有防护罩及互锁,设备良好接地,维护/操作需专业培训,分析区避免高压误触和真空泄露,定期检查抽气和冷却系统,废气/废液按规范处置,防止放射泄漏
用户评价灵敏度高、定量/定性准、自动化强,用户反馈设备性能稳定、分析结果易解读,维护便捷、服务支持专业,适合高端研发/常规检测实验室
俄歇电子能谱(aes)
产品名称俄歇电子能谱(AES)
品牌PHI(日本艾科菲/阿尔法)、JEOL(日本电子)、Kratos(英国克莱塔斯)、Scienta Omicron、聚光科技(FPI)、普析通用
型号PHI 710 AES、JEOL JAMP-9500F、Kratos ULTRA DLD AES、Scienta Omicron NanoSAM、FPI AES-2000、普析AES-1000
产地日本、美国、英国、中国、德国等
产品详情俄歇电子能谱(Auger Electron Spectroscopy, AES)是一种利用高能电子束轰击样品表面,测量俄歇电子能谱信号,实现材料元素组成、分布及化学状态表征的表面分析仪器。适合纳米尺度表层(<10nm)的成分与深度分析,尤其用于表界面、微区及污染检测。
产品特点高空间分辨率(优于10nm),高表面灵敏度,多元素同时检测,无需特殊处理样品,可成像/线扫描/面扫描,元素分布/深度分析能力强,兼容XPS联用,部分机型具自动化操作与高通量分析功能
产品应用表面元素定量/定性、半导体工艺监测、纳米材料分析、合金与涂层表界检测、腐蚀层/污染物追踪、故障分析、催化剂/薄膜研究、微区元素分布与深度剖面分析等
技术参数空间分辨率≤10nm,检测深度1-5nm,能量分辨率优于0.2%,分析腔真空10⁻⁹-10⁻¹⁰ mbar,支持元素扫描成像、深度剖析、自动进样,多模式联用(SEM/XPS),兼容多种样品台
安全与环境要求高压腔体防护/互锁,操作前专业培训,设备接地、操作区防电击和高温,定期保养抽气系统,电子束及高压区域防误触,维护须停机,废气/清洗液需规范回收
用户评价分辨率高、分析准确、自动化及成像易用,用户反馈快速精确、小区域分析优势明显、维护便捷,服务及时、适合先进材料研发/失效分析需求
离子散射能谱
产品名称离子散射能谱
品牌ION-TOF、Scienta Omicron、Hiden Analytical、PHI(日本艾科菲)、JEOL(日本电子)、普析通用、聚光科技(FPI)
型号ION-TOF Qtac100、Scienta Omicron ISE(LEIS)、Hiden IG20、PHI ISE-3000、JEOL IS-1000、普析ISE-1000、FPI ISE-3000
产地德国、英国、日本、美国、中国等
产品详情离子散射能谱(Ion Scattering Spectroscopy, ISS或LEIS)是一种通过检测低能离子束与样品表面原子散射后的能量分布,分析材料最表层(通常为原子单层)的元素组成和覆盖率的表面分析方法。适用于原子级厚度层的结构和洁净度评价。
产品特点表面原子单层极高灵敏度,元素定性及定量能力强,探测深度<1nm,分析重复性高,快速成像,空间分辨率高,部分机型可与XPS、AES联用,具表面覆盖度和相对含量自动分析功能,操作自动化
产品应用半导体与集成电路材料纯度、表面修饰层、催化剂活性表面、薄膜沉积过程监测、表面清洁度检测、腐蚀/氧化层第一层元素定量、材料科学前沿研究
技术参数离子源He⁺/Ne⁺(常用能量0.5-10keV)、探测深度<1nm、空间分辨率优于100nm、分析腔极限真空10⁻⁹-10⁻¹⁰ mbar、自动样品台/X-Y-Z-θ移动、多模式扫描、多种信号输出接口
安全与环境要求设备配备高压及真空互锁,操作人员须受训,仪器接地并定期检测真空系统,离子源/高压组件防护,操作区通风,维护和更换部件须断电,确保操作环境清洁防尘
用户评价极高灵敏度、定量/成像方便、自动化高,用户反馈操作直观、分析速度快、特别适合原子层表征,维护简单、服务可靠